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半导体的这四个效应,(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发觉)虽在1880年往常就先后被发觉了,但半导体那个名词大致到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。专门多人会疑咨询,什么原因半导体被认可需要这么多年呢?要紧缘故是当时的材料不纯。没有好的材料,专门多与材料有关的咨询题就难以讲清晰。半导体于室温时电导率约在10-10-10000/Q?cm之间,纯洁的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有专门多种,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体外,还有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。飞明聚贝尔实验室产生,从此人类步入了斤月异的60年里,有太多的技术发勺人,更有半导体产业分分合合、了众多半导体公司的浮浮沉沉。JohnBardeen(左),WilliamShockley(坐)和WalterBrattain共同发明了晶体管1959年首次将集成电路技术推向商用化的飞兆半导体公司,也是曾经孵化出包括英特尔、AMD、美国国家半导体、,现在已成为用心于功率和能效的公司;曾经在上世纪80年代中连续多年位居半导体产业榜首的NEC,在90年代中跌出前10后,再也没有东山再起;更有与发明第一块晶体管的贝尔实验室有着直系血缘的杰尔(Agere),通过多次变卖,被“四分五裂”找不到踪迹。

世上没有常胜的将军。曾经的呼风唤雨,并不代表能成为永久的霸主。当我们用历史的眼观来看今天的半导体产业,我们有什么启发呢?全球半导体产业正在东移,以台积电为首的晶圆代工将成为全球半导体工艺与产能双双领先的公司;传统的IDM厂商都向轻资厂转变,65nm已鲜有IDM跟踪,至45nm时除了memory厂商外,仅剩英特尔一家了;AMD在2008年将芯片制造部分剥离出来也讲明了这一点。私募基金正在加速半导体业的整合,以后每个产业仅有前五名是能够生存的;PC在主导半导体产业10多年后,正让位于消费电子,英特尔还能守住霸主地位多久?以台湾联发科为代表的新一代IC公司的崛起,使得众多欧美大厂不再轻易舍弃低利润行业,以后的半导体产业会逐步成为一个成熟的产业,一个微利的产业。回忆过去60年,哪些人是我们必须记住的?哪些重大事件对业界阻碍最大?美国空军在Minutemen导弹设计中使用半导体关国国防部、美国国家航空和宇宙航行局迅速成为半导体产业的两个大客户19595月270,美国国家半导体在康州Danbury宣布成立飞兆半导体的创始人之一RobertNoyce(1927-1990)发明了平面工艺技术,,半导体产业由“发明时代"进入“商用时代"因为发明了可制造性更强的集成电路,Noyce成为集成电路的共同发明人1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管,从而开创了人类的硅文明时代。

1956年,我国提出“向科学进军”,按照国外进展电子器件的进程,提出了中国也要研究半导体科学,把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所第一举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业,共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批闻名的教授:北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元(北京大学微电子所所长)、工程院院士许居衍(华晶集团中央研究院院长)和电子工业部总工程师俞忠笠(北方华虹设计公司董事长)。1957年,北京电子管厂通过还原氧化错,拉出了错单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发错晶体管。当年,中国相继研制出错点接触二极管和三极管(即晶体管)。1958年,美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路(IC)之后,进展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,通过MSI(中规模集成电路),进展到LSI(大规模集成电路),然后进展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至进展到今后的GSI(甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年,天津拉制出硅(Si)单晶。1960年,中科院在北京建立半导体研究所,同年在河北建立工业性专业化研究所一一第十三所(河北半导体研究所)。1962年,天津拉制出神化镣单晶(GaAs),为研究制备其他化合物半导体打下了基础。1962年,我国研究制成硅外延工艺,并开始研究采纳照相制版,光刻工艺。1963年,河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。1964年,河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。1965年12月,河北半导体研究所召开鉴定会,鉴定了第一批半导体管,并在国内第一鉴定了DTL型(二极管一一晶体管逻辑)数字逻辑电路。1966年底,在工厂范畴内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路要紧以与非门为主,还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国差不多制成了自己的小规模集成电路。1968年,组建国营东光电工厂(878厂)、上海无线电十九厂,至1970年建成投产,形成中国IC产业中的“两霸"。1968年,上海无线电十四厂首家制成PMOS(P型金属一氧化物半导体)电路(MOSIC)。拉开了我国进展MOS电路的序幕,并在七十年代初,永川半导体研究所(现电子第24所)、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。

之后,又研制成CMOS电路。七十年代初,IC价高利厚,需求庞大,引起了全国建设IC生产企业的热潮,共有四十多家集成电路工厂建成,四机部所属厂有749厂(永红器材厂)、871(天光集成电路厂)、878(东光电工厂)、4433厂(风光电工厂)和4435厂(韶光电工厂)等。各省市所建厂要紧有:上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体(一)厂、航天部西安691厂等等。1972年,中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。