半导体技术的发展历史半导体技术的发展历史PAGE/NUMPAGES半导体技术的发展历史半导体技术的发展历史半导体的发现实质上可以追想到许久以前。1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同样于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度高升而增加，但巴拉迪发现硫化银资料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导表现象的首次发现。不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是此后代们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特色。1873年，英国的史密斯发现硒晶体资料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴见效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特色向到达1947年12月才由贝尔实验室完成。在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；若是把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特色。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。